机译:使用各种边缘终端结构制造高击穿电压硅肖特基势垒二极管
机译:保护环对InGaAs / InP雪崩光电二极管边缘击穿抑制的影响的仿真研究
机译:用于优化SiC肖特基势垒二极管击穿电压特性的边缘终端场板氧化物刻蚀角的研究
机译:电力设备边缘终止时的时间周期雪崩击穿
机译:结局终端结构的二维器件模拟确定击穿行为的确定
机译:薄的Al1-xGaxAs0.56Sb0.44二极管雪崩击穿的温度依赖性极弱
机译:通过使用偏置依赖性击穿概率定位雪崩结构和硅光电倍增器中的击穿产生电荷载波的起源
机译:扫描电子显微镜在电流倍增,雪崩击穿和热失控研究中的应用。第2部分 - 一般研究,主要是非热学